电极接触结构

摘要

本实用新型涉及电极接触结构。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。在一种实施例中，电极接触结构包括：具有相对的第一和第二主表面的半导体材料区，其中半导体材料区包括有源区和接触区；从第一主表面延伸至半导体材料区之内的接触沟槽；沿着接触沟槽的表面形成的第一电介质层；形成为邻接于第一电介质层的第一屏蔽电极接触部分，其中第一电极接触部分凹进到第一主表面之下并且包括平行于第二主表面的平面部分；形成为覆盖于第一电极接触部分的一部分上的第二电介质层；以及形成于接触沟槽内的且沿着平面部分与第一电极接触部分接触的第二屏蔽电极接触部分。根据本实用新型，可以通过减少与相关接触结构关联的制造问题来提高成品率和器件性能。

主权项

一种电极接触结构，其特征在于包括：具有相对的第一和第二主表面的半导体材料区，所述半导体材料区包括有源区和接触区；从所述第一主表面延伸至所述半导体材料区之内的接触沟槽；沿着所述接触沟槽的表面形成的第一电介质层；形成为邻接于所述第一电介质层的第一屏蔽电极接触部分，所述第一电极接触部分凹进到所述第一主表面之下并且包括平行于所述第二主表面的平面部分；形成为覆盖于所述第一电极接触部分的一部分上的第二电介质层；以及形成于所述接触沟槽内的且沿着所述平面部分与所述第一电极接触部分接触的第二屏蔽电极接触部分。