发明名称 | 形成多个电容器的方法 | ||
摘要 | 本发明揭示一种形成多个电容器的方法,其包含使用两个遮蔽步骤形成多个个别电容器电极。所述两个遮蔽步骤中的较早者用来在多个存储节点触点上方形成第一开口阵列。所述两个遮蔽步骤中的较晚者用来形成部分地被接纳于所述第一开口阵列上方且从所述第一开口阵列部分地偏移的第二开口阵列。所述第一与第二开口的重叠部分被接纳于所述存储节点触点上方。在所述两个遮蔽步骤两者之后,将所述个别电容器电极的导电材料沉积到所述第一及第二开口中的每一者的所述重叠部分中。将所述个别电容器电极并入到多个电容器中。涵盖其它方面及实施方案。 | ||
申请公布号 | CN102089877B | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
申请号 | CN200980126565.1 | 申请日期 | 2009.06.10 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 弗雷德·D·菲什伯恩 |
分类号 | H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
主权项 | 一种形成多个电容器的方法,其包括:形成多个个别电容器电极,其包括使用两个遮蔽步骤,所述两个遮蔽步骤中的较早者用来在多个存储节点触点上方形成第一开口阵列,所述两个遮蔽步骤中的较晚者用来形成部分地被接纳于所述第一开口阵列上方且从所述第一开口阵列部分地偏移的第二开口阵列,所述第一开口阵列中的第一开口与所述第二开口阵列中的第二开口的重叠部分被接纳于所述存储节点触点上方;在所述两个遮蔽步骤两者之后,将所述个别电容器电极的导电材料沉积到所述第一及第二开口中的每一者的所述重叠部分中;及将所述个别电容器电极并入到多个电容器中。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |