| 发明名称 | 半导体压力传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体压力传感器及其制造方法。硅衬底(10)具有贯通孔(12)。在硅衬底(10)上形成有多晶硅膜(20)。多晶硅膜(20)在贯通孔(12)的上方具有膜片(24)。在多晶硅膜(20)上形成有绝缘膜(22)。具有压电电阻效应的多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)形成在绝缘膜(22)上。多晶硅布线(W1、W2、W3、W4)将多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)连接成电桥状。多晶硅应变计电阻(R1、R2)配置在膜片(24)的部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且结构以及朝向相同。 | ||
| 申请公布号 | CN102121856B | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201010589550.3 | 申请日期 | 2010.12.13 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 佐藤公敏 |
| 分类号 | G01L1/22(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;G01L9/04(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体压力传感器，其特征在于，具有：衬底，具有贯通孔；多晶硅膜，形成在所述衬底上，并且在所述贯通孔的上方具有膜片；绝缘膜，形成在所述多晶硅膜上；第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻，形成在所述绝缘膜上，并且具有压电电阻效应；以及多晶硅布线，将所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻连接成电桥状，所述第一以及第二多晶硅应变计电阻配置在所述膜片的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且，所述第一以及第二多晶硅应变计电阻的结构以及朝向相同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||