一种Cu-Cu₂O异质结的制备方法

摘要

一种Cu-Cu2O异质结的制备方法，包括如下步骤：将Cu2O粉末加入到去离子水中搅拌，得到Cu2O粉末与去离子水的悬浮溶液；向悬浮溶液加入质量百分比为5％～35％的水合肼，得到Cu2O表面生长出Cu颗粒的悬浮溶液；在温度50～85℃下保温1～120min，得到Cu-Cu2O异质结初级产物；洗涤并干燥初级产物即可获得具有良好光催化性能的Cu-Cu2O金属-半导体异质结材料；本发明制备方法工艺简单、成本低廉，能够合成出单分散性好、具有良好光催化性能的Cu-Cu2O金属-半导体异质结材料，适合大规模生产和工业应用。

主权项

一种Cu‑Cu2O异质结的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将Cu2O粉末加入去离子水中，所加入Cu2O粉末与去离子水的质量比为1:10～1:1000，并在15～35℃下持续搅拌5～10min，得到Cu2O粉末与去离子水的悬浮溶液；步骤2:将质量百分比为5%～35%的水合肼N2H4·H2O加入到步骤1得到的Cu2O粉末与去离子水的悬浮溶液中，所加入水合肼与步骤1中加入的去离子水的体积比为1:1～1:500，并在15‑35℃下持续搅拌1～5min，得到Cu2O表面生长出Cu颗粒的悬浮溶液；步骤3：将步骤2所得Cu2O表面生长出Cu颗粒的悬浮溶液在搅拌状态下加热到50～85℃，并在此温度下保温1～120min，得到Cu‑Cu2O异质结初级产物；步骤4：将步骤3所得Cu‑Cu2O异质结初级产物先用无水乙醇在6000rpm转速下离心洗涤2～5次，每次离心洗涤1～5min，然后将离心洗涤后的Cu‑Cu2O异质结置于真空干燥箱中干燥2～5h，干燥温度为45～60℃，即得到Cu‑Cu2O异质结。