一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法

摘要

本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，首先以SiO2作为掩模，用退火质子交换制作光波导；接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻；随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模；最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模；采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形，保证了光波导与电极套刻准确，电极边缘光滑，缺陷少，成品率高。

主权项

一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，包括下列步骤：步骤1：在铌酸锂基片上，以SiO2作为掩模制作光波导，形成铌酸锂芯片；步骤2：以光波导表面两侧的SiO2掩模作为套刻标记进行电极图形套刻；步骤3：去除位于电极区的SiO2掩模;步骤4：在铌酸锂芯片暴露表面上镀制金属薄膜；步骤5：将镀制好金属薄膜的铌酸锂芯片浸入剥离液中，去除铌酸锂基片表面上的光刻胶以及光刻胶表面覆盖的金属薄膜，清洁铌酸锂芯片表面；步骤6：采用腐蚀液去除铌酸锂芯片表面剩余的SiO2掩模，完成电极制作。