| 摘要 |
一浮动闸极记忆胞(10)具有一浮动闸极，其中有两层浮动闸极层(18、22)。顶层(22)会被蚀刻以于该顶层(22)中提供一轮廓，同时保持下层(18)不变。控制闸极(38)会遵循浮动闸极(22)的轮廓，以提高其间的电容。浮动闸极的该等双层(18、22)可利用一超薄的蚀刻阻止层(20)来进行多晶矽隔离。此蚀刻阻止层(20)厚到足以于多晶矽蚀刻期间提供蚀刻阻止效果，但较佳的系，却有薄到足以达到电透通效果。电子能够轻易地于该等双层(22、18)间移动。因此，对顶层(22)所进行的蚀刻并不会延伸到下层(18)之中，而第一层(18)与第二层(22)则具有可让一浮动闸极成为连续导电层的目的之电效应。 |
