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Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Hall-Sensors, bei dem–in einem Substrat (1) aus Halbleitermaterial, das eine Grunddotierung für einen Leitfähigkeitstyp aufweist, eine für einen dem Substrat (1) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp dotierte Wanne (2) ausgebildet wird,–eine die Wanne bedeckende Deckschicht (3) hergestellt wird, indem in die Wanne (2) ein Dotierstoff eingebracht wird, der für den der Wanne (2) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, so dass die Deckschicht (3) den Bereich des Leitfähigkeitstyps der Wanne (2) zu einer Oberseite des Substrates (1) hin begrenzt, und–in der Deckschicht (3) voneinander beabstandete Kontaktbereiche (4) ausgebildet werden, indem unter Verwendung einer Maske (7) ein Dotierstoff, der für denselben Leitfähigkeitstyp wie die Wanne vorgesehen ist, in die Deckschicht bis zu der Wanne hin eingebracht wird,–wobei die Kontaktbereiche (4) ausgebildet werden, indem der Dotierstoff mit einer Implantationstiefe, die nicht bis zum Bereich des Leitfähigkeitstyps der Wanne reicht, implantiert wird und eine Diffusion des Dotierstoffes bis zu der Wanne (2) bewirkt wird.
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