发明名称 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ВНУТРЕННЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaN |
摘要 |
1. Способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе GaN, включающий облучение гетероструктуры пучком электронов и возбуждение католюминесценции, отличающийся тем, что возбуждение катодолюминесценции осуществляют путем облучения светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 100 мкс.2. Способ контроля внутреннего квантового выхода по п.1, отличающийся тем, что энергию электронов задают 18 кэВ и выше. |
申请公布号 |
RU2012112682(A) |
申请公布日期 |
2013.10.10 |
申请号 |
RU20120112682 |
申请日期 |
2012.04.03 |
申请人 |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ) |
发明人 |
Прудаев Илья Анатольевич;Олешко Владимир Иванович;Корепанов Владимир Иванович;Лисицын Виктор Михайлович;Толбанов Олег Петрович;Ивонин Иван Варфоломеевич |
分类号 |
G01R31/26;H01J37/04;H01S5/00 |
主分类号 |
G01R31/26 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|