发明名称 DEVICE FOR DEPOSITING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER BY MEANS OF VAPOUR DEPOSITION
摘要 <p>Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung, umfassend einen Suszeptor mit einer Vorderseite und einer Rückseite; eine Welle zum Drehen des Suszeptors, wobei die Welle ein oberes und ein unteres Ende hat und mit einem Kanal versehen ist, der sich vom unteren bis zum oberen Ende erstreckt; einen Gasverteiler-Kopf, der am oberen Ende der Welle befestigt ist und ein Gebiet der Rückseite des Suszeptors mittels eines kühlenden Gases kühlt, wobei sich das gekühlte Gebiet vom Zentrum des Suszeptors aus radial nach außen erstreckt; und eine Leitung zum Zuführen des kühlenden Gases von einer Quelle zum unteren Ende der Welle, von wo aus das kühlende Gas durch den Kanal zum oberen Ende der Welle und in den Verteilerkopf gelangt und zur Rückseite des Suszeptors gelenkt wird.</p>
申请公布号 WO2013149849(A1) 申请公布日期 2013.10.10
申请号 WO2013EP56011 申请日期 2013.03.22
申请人 SILTRONIC AG 发明人 BRENNINGER, GEORG
分类号 C23C16/46 主分类号 C23C16/46
代理机构 代理人
主权项
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