| 摘要 |
<p>1. Тонкопленочный вариконд, содержащий подложку из монокристаллического кремния и слой сегнетоэлектрического материала, заключенный между нижним и верхним электродами, отличающийся тем, что нижний электрод вариконда выполнен из высоколегированного монокристаллического кремния, пластина которого одновременно является подложкой вариконда.2. Тонкопленочный вариконд по п.1, отличающийся тем, что с нижней стороны высоколегированной кремниевой пластины, являющейся подложкой вариконда, сформирован омический контакт к ней.3. Тонкопленочный вариконд по п.1, отличающийся тем, что на одной кремниевой подложке сформированы два пленочных вариконда по п.1, соединенные между собой последовательно проводимостью высоколегированного монокристаллического кремния.4. Тонкопленочный вариконд по п.2, отличающийся тем, что на одной кремниевой подложке сформированы два пленочных вариконда по п.2, соединенные между собой последовательно проводимостью высоколегированного монокристаллического кремния и слоя металла, образующего омический контакт к подложке.</p> |
