一种提高MIM电容密度的结构及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种提高MIM电容密度的结构及其制作工艺，其中，包括：从下至上依次包括凹槽状的衬底，填第一金属层，以及第一绝缘层，第二金属层，第二绝缘层，第三金属层，第三绝缘层，第四金属层，第四绝缘层，第五金属层以及第五绝缘层。本发明的一种提高MIM电容密度的结构，相比原有的MIM电容器件，具有更高的电容密度，且其制造工艺简单，不会涉及到非常大高宽比的工艺，完全与现有工艺相兼容。

主权项

一种提高MIM电容密度的结构，其特征在于，包括：具有一凹槽的衬底；沉积在凹槽中的第一金属层，位于衬底以及第一金属层之上的第一绝缘层，第一绝缘层具有一个第一绝缘层凹槽，以及设置在第一绝缘层凹槽顶部的边缘处的一个高度低于第一绝缘层凹槽高度的第一横向槽体，第一横向槽体由第一绝缘层凹槽的边缘朝第一绝缘层凹槽之外横向延伸；在第一绝缘层凹槽底部及内壁、第一横向槽体中沉积有第二金属层，第二金属层具有位于第一横向槽体中并横向延伸出第一绝缘层凹槽侧壁的第二延伸部；沉积在第一绝缘层和第二金属层之上的第二绝缘层，第二绝缘层具有一个第二绝缘层凹槽，以及设置在第二绝缘层凹槽顶部的边缘处的一个高度低于第二绝缘层凹槽高度的第二横向槽体，第二横向槽体与第一横向槽体在垂直方向上交错设置，且第二横向槽体的延伸方向为由第一绝缘层凹槽的边缘朝第二绝缘层凹槽侧壁之外横向延伸；在第二绝缘层底部和内壁，第二横向槽体中沉积有第三金属层，第三金属层具有位于第二横向槽体中并横向延伸出第二绝缘层凹槽侧壁的第三延伸部；沉积在第二绝缘层和第三金属层之上的第三绝缘层，第三绝缘层具有一个第三绝缘层凹槽，以及设置在第三绝缘层凹槽顶部边缘处的一个高度低于第三绝缘层凹槽高度的第三横向槽体，第三横向槽体由第三绝缘层凹槽的边缘向第三绝缘层凹槽侧壁之外横向延伸，第三横向槽体与第一横向槽体在垂直方向上部分重叠；在第三绝缘层底部和内壁，第三横向槽体中沉积有第四金属层，第四金属层具有位于第三横向槽体中并横向延伸出第三绝缘层凹槽侧壁之外的第四延伸部；沉积在第三绝缘层和第四金属层之上的第四绝缘层，第四绝缘层具有一第四绝缘层凹槽，以及一设置在第四绝缘层凹槽顶部的高度低于第四绝缘层凹槽高度的第四横向槽体，第四横向槽体由第四绝缘层凹槽的边缘向第四绝缘层凹槽侧壁之外横向延伸，第四横向槽体与第二横向槽体在垂直方向上部分重叠；在第四绝缘层底部和内壁，第四横向槽体中沉积有第五金属层，第五金属层具有位于第四横向槽体中并横向延伸出第四绝缘层凹槽侧壁之外的第五延伸部；沉积在第四绝缘层和第五金属层之上的第五绝缘层；第二延伸部与第四延伸部通过分别位于第二绝缘层、第三绝缘层中的在垂直方向上重叠的第二互连线、第四互连线相连，第四绝缘层中设置有在第四延伸部之上的第六互连线，第五绝缘层中还设置有在垂直方向上与第六互连线重叠并接触的第八互连线；第一金属层通过分别位于第一绝缘层、第二绝缘层中的在垂直方向上重叠的第一互连线和第三互连线与第三延伸部连接，第三延伸部还通过分别位于第三绝缘层、第四绝缘层中的在垂直方向上重叠的第五互连线和第七互连线与第五延伸部连接，在第五绝缘层中位于第五延伸部之上还设置有与第五延伸部接触的第九互连线连接。