浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括步骤：在半导体衬底上形成浅沟槽；在半导体衬底上沉积电介质材料，所述电介质材料填充所述浅沟槽；利用含氟的等离子体刻蚀所述半导体衬底上的电介质材料；利用含氮的等离子体处理所述半导体衬底上的电介质材料。与现有技术相比，本发明采用含氮的等离子体与电介质材料表面残留的氟反应来去除氟残留，从而实现既去除氟离子，又不会引入氢离子，避免引入氢离子所带来的问题。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：在半导体衬底上形成浅沟槽；在半导体衬底上沉积电介质材料，所述电介质材料填充所述浅沟槽；利用含F的等离子体刻蚀所述半导体衬底上的电介质材料；利用含N的等离子体处理所述半导体衬底上的电介质材料，含N的等离子体与电介质材料表面残留的氟离子反应，生成三氟化氮以去除氟残留及重复使用三氟化氮形成含氟的等离子体刻蚀电介质材料。