基于TSV的三维封装方法和封装结构

摘要

一种基于TSV的三维封装方法和封装结构，该封装方法和封装结构采取对晶圆和芯片进行至少二次塑封工艺，依次覆盖第一塑封层和后续塑封层，其中相邻两层塑封料的热膨胀系数不同，使得两层塑封料的其中一层在塑封时产生的应力与相邻层产生的应力方向不同，两者之间形成应力的抵消，从而减少塑封料对晶圆的作用力，达到降低晶圆的翘曲程度的效果，从而保证无衬底晶圆减薄工艺的顺利实施。

主权项

一种基于TSV的三维封装方法，包括步骤：S1：  在晶圆正面制作TSV；S2：  将多块芯片与晶圆正面互连；S3：  在晶圆背面粘结上一层载体物；S4：  在晶圆正面实施塑封工艺，在晶圆表面和芯片上覆盖塑封层；S5：  对后续塑封层进行化学机械抛光工艺；S6：  去除晶圆背面粘结的载体物；S7：  晶圆背面的减薄工艺，及TSV露头工艺，其特征在于：所述塑封工艺分为至少二次塑封工艺，所述至少二次塑封工艺依次在晶圆的正面覆盖第一塑封层和后续塑封层，所述后续塑封层具有与所述第一塑封层中的材料不同的热膨胀系数，且该第一塑封层和后续塑封层在塑封时产生的应力方向不同，两者之间形成应力的抵消。