发明名称 基于涡流技术的TSV晶圆背面减薄控制方法及系统
摘要 本发明公开了一种基于涡流技术的TSV晶圆背面减薄控制方法及系统,该方法包括:将涡流感应器固定于晶圆减薄装置的传动轴上,使其垂直于晶圆表面并能随传动轴上下移动;对涡流感应器施加交流电,使用减薄装置对特定的TSV晶圆进行减薄,制定涡流感应器中的感应信号与距离的校准曲线;根据TSV晶圆减薄的目标距离和校准曲线设定终点的感应信号值;对涡流感应器施加交流电,使用减薄装置对TSV晶圆进行减薄,当涡流感应器上的感应信号达到设定的值感应信号时停止TSV晶圆的背面减薄。本发明有效地实现了无接触测量,测量误差小;能够精确控制金属导电柱底部晶圆的厚度;涡流感应器安装方便,工艺成本低。
申请公布号 CN103346117A 申请公布日期 2013.10.09
申请号 CN201310233289.7 申请日期 2013.06.13
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 顾海洋
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 常亮
主权项 一种基于涡流技术的TSV晶圆背面减薄控制方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S1、将涡流感应器固定于晶圆减薄装置的传动轴上,使涡流感应器垂直于晶圆表面并能随传动轴上下移动;S2、对涡流感应器施加交流电,使用减薄装置对特定的TSV晶圆进行减薄,制定涡流感应器中的感应信号与距离的校准曲线,所述距离为涡流感应器与TSV晶圆中导电柱底部的距离;S3、根据TSV晶圆减薄的目标距离和校准曲线设定终点的感应信号值;S4、对涡流感应器施加交流电,使用减薄装置对TSV晶圆进行减薄,当涡流感应器上的感应信号达到设定的感应信号值时停止TSV晶圆的背面减薄。
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