发明名称 |
铜氧化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种采用铜氧化物中间薄层来提高氧化锌基LED透明电极与p型氮化镓之间的欧姆接触,与单纯的采用金属作为中间插入层对比,铜氧化物在光透过率方面有明显提高,同时也能够和p型氮化镓形成较好的欧姆接触。本发光二极管包括:蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、铜氧化物薄膜、氧化锌基透明电流扩展层、p型金属电极和n型金属电极。利用铜氧化物/氧化锌复合透明电极改善了p型氮化镓与氧化锌透明电极层之间的欧姆接触,提高了LED芯片的光提取效率和LED芯片的可靠性。 |
申请公布号 |
CN103346230A |
申请公布日期 |
2013.10.09 |
申请号 |
CN201310240880.5 |
申请日期 |
2013.06.18 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
顾文;张建华 |
分类号 |
H01L33/42(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/42(2010.01)I |
代理机构 |
上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 |
代理人 |
陆聪明 |
主权项 |
一种铜氧化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管,包括蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、n型氮化镓(3)、量子阱(4)、p型氮化镓(5)、铜氧化物薄膜(6)、氧化锌基透明电流扩展层(7)、p型金属电极(8)和n型金属电极(9);其特征在于,所述缓冲层(2)、n型氮化镓(3)、量子阱(4)、p型氮化镓(5)是在MOCVD中从蓝宝石衬底(1)上依次生长;所述的铜氧化物薄膜(6)沉积在p型氮化镓(5)的表面;所述氧化锌基透明电流扩展层(7)沉积在铜氧化物薄膜(6)上;所述n型金属电极(9)连接n型氮化镓(3),所述p型金属电极(8)连接氧化锌基透明电流扩展层(7)。 |
地址 |
200444 上海市宝山区上大路99号 |