由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感

摘要

本发明公开了一种由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感，包括P衬底，所述P衬底中色号在有多根条状N掺杂区，所述每根条状N掺杂区的上方设置有金属条，所述多根金属条相互连接且组成的网络不形成任何回路，所述金属条的上方设置有电感线圈。本发明通过在P衬底上设置了N掺杂区之后，会在N掺杂区的侧壁和底部与P衬底之间形成PN结，PN结中的内建电场会形成高阻的耗尽层，从而使漩涡电流只能在衬底的更深处产生，减少了漩涡电流的损耗。

主权项

一种由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感，其特征在于：包括P衬底（1），所述P衬底（1）中设有多根条状N掺杂区（2），所述每根条状N掺杂区（2）的上方设置有金属条（3），所述多根金属条（3）相互连接且组成的网络不形成任何回路，所述金属条（3）的上方设置有电感线圈（5）。