| 摘要 |
<p>Procédé de réalisation d'une surface de contact (104) d'un composant (100) consistant à utiliser une structure de surface dans la plaque ayant une première cavité dans le plan d'extension principale, une profondeur qui, correspond à la longueur souhaitée de la surface de contact (104). Dans la région de la structure de surface, la matière de support reçoit une couche conductrice. Dans la zone de séparation, on dégage la matière de support, et on réalise une cavité en enlevant la matière de support de la zone de tranchée jusqu'à une profondeur dépassant la profondeur de la cavité, et on coupe la plaque dans le prolongement d'une seconde cavité pour générer une surface latérale du composant (100), la surface de contact (104 étant alignée transversalement.</p> |
