发明名称 |
一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法。该方法包括:在光电器件需要形成金属纳米颗粒的薄膜表面生长金属薄膜;在金属薄膜表面旋涂光刻胶;刻蚀光刻胶,形成光刻胶纳米颗粒;以光刻胶纳米颗粒为掩模,刻蚀所述金属薄膜,形成金属纳米颗粒;去除光刻胶,完成金属纳米颗粒的制备。目前制备金属纳米颗粒的方法主要包括电子束光刻、自组装以及退火技术。基于氧等离子体刻蚀光刻胶会生成光刻胶纳米颗粒这一物理现象,本发明提出一种低温、低成本、无污染的制备高密度金属纳米颗粒的方法,为金属等离激元技术在光电器件研究领域的广泛应用提供一种方法。 |
申请公布号 |
CN103337564A |
申请公布日期 |
2013.10.02 |
申请号 |
CN201310136057.X |
申请日期 |
2013.04.18 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
孙莉莉;闫建昌;董鹏;魏同波;王军喜;李晋闽 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种制备金属纳米颗粒的方法,包括以下步骤:步骤1、在光电器件需要形成金属纳米颗粒的薄膜表面生长金属薄膜;步骤2、在金属薄膜表面旋涂光刻胶;步骤3、刻蚀光刻胶,形成光刻胶纳米颗粒;步骤4、以光刻胶纳米颗粒为掩模,刻蚀所述金属薄膜,形成金属纳米颗粒;步骤5、去除光刻胶,完成金属纳米颗粒的制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |