发明名称 一种三波分复用/解复用器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种三波分复用/解复用器及其制备方法,涉及光通信分光技术领域,意在提供一种三波分复用/解复用器及其制备方法,在制造时可根据自行设计的某一种光信号偏离度需要进行制造,制备工艺简单,集成度高。其步骤为:选择石英制作衬底层,选择折射率低的纯材料制作下包层,选择折射率高的掺杂材料制作芯层,将芯层加工成N形波导光路,选择与下包层折射率相同的掺杂材料制作上包层,在N形波导光路的中间两个端口处分别连接只能分别各自过滤出某种一种光信号的两块滤波片,在每块滤波片外连接有光纤阵列接头,在N形波导光路的两端的两个端口处也分别连接光纤阵列接头。本发明主用应用于光通信混合光信号分光技术中。
申请公布号 CN103336332A 申请公布日期 2013.10.02
申请号 CN201310191138.X 申请日期 2013.05.21
申请人 杭州天野通信设备有限公司 发明人 陈冬芳;刘勇;陈一博;林尚亚;陆昇
分类号 G02B6/132(2006.01)I;G02B6/293(2006.01)I 主分类号 G02B6/132(2006.01)I
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人 尉伟敏
主权项 一种三波分复用/解复用器制备方法,其特征在于,包括一号光纤阵列接头(13)、二号光纤阵列接头(21)、三号光纤阵列接头(16)、四号光纤阵列接头(18),其制备方法的实现步骤如下:步骤一,制作衬底层(1),选择石英作为衬底层的制作材料,并对衬底层的表面进行抛光处理;步骤二,制作下包层(2),选择折射率低的纯材料作为下包层的制作材料,在衬底层的上表面,通过CVD方法沉积制作厚度为16‑30微米的下包层;步骤三,制作芯层(25),选择折射率高的掺杂材料作为芯层的制作材料,在下包层的上表面通过CVD方法沉积制作厚度为6微米的芯层; 步骤四,制作N形波导光路(3),通过光刻和刻蚀工艺对芯层进行处理,将芯层加工成截面为6×6微米的N形波导光路,使N形波导光路共形成四个端口和三条光路,所述四个端口分别为一号端口(10)、二号端口(6)、三号端口(11)和四号端口(5),所述三条光路分别为一号光路(9)、二号光路(8)和三号光路(7); 步骤五,制作上包层(4),选择与下包层折射率相同的掺杂材料作为上包层的制作材料,在下包层的上表面以及N形波导光路的上表面,通过CVD方法沉积制作厚度为16‑30微米的上包层,使N形波导光路除所述四个端口外均被密封在上包层和下包层之间;步骤六,将经过步骤五后所得到的一整块晶圆体切割成复用芯片(12),并通过封装技术对复用芯片进行贴盖板封装;步骤七, 选择一块一号滤波片(22),并且该一号滤光片只能过滤出用户所需要分出的第一种光信号(20),并把所述一号滤波片紧密粘接在N形波导光路的二号端口上;同时,再选择一块二号滤波片(17),并且该二号滤光片只能过滤出用户所需要分出的第二种光信号(15),并把所述二号滤波片紧密粘接在N形波导光路的三号端口上;步骤八,把一号光纤阵列接头紧密粘接在N形波导光路的一号端口上,把二号光纤阵列接头紧密粘接在一号滤波片上,把三号光纤阵列接头紧密粘接在二号滤波片上,把四号光纤阵列接头紧密粘接在N形波导光路的四号端口上。
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