发明名称 | 一种带隙基准电压源电路 | ||
摘要 | 本发明实施例公开了一种带隙基准电压源电路,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一电阻和第二电阻。本发明公开的带隙基准电压源电路中没有用到误差放大器,因此省去了误差放大器自身的失调电压及噪声对系统的影响,并且节省了功耗和面积;另外,基准电压Vref的输出支路并未采用一个支路单独产生,也在一定程度上避免了电流镜像失陪引起的失调电压的影响,并且节省了面积和功耗。 | ||
申请公布号 | CN102609027B | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
申请号 | CN201210088717.7 | 申请日期 | 2012.03.29 |
申请人 | 北京经纬恒润科技有限公司 | 发明人 | 贾晓伟;邓龙利;王帅旗 |
分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
主权项 | 一种带隙基准电压源电路,其特征在于,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第一电阻和第二电阻;其中:所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极和衬底接入电源电压;所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极同时连接至所述第四PMOS管的源极及所述第二PMOS管的漏极;所述第一PMOS管的漏极连接至所述第三PMOS管的源极;所述第三PMOS管的衬底和第四PMOS管的衬底接入电源电压;所述第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极同时连接至所述第二NPN型三极管的集电极及所述第四PMOS管的漏极;所述第三PMOS管的漏极通过所述第二电阻连接至所述第一NPN三极管的集电极;所述第一NPN型三极管的基极和第二NPN型三极管的基极连接至所述第一NPN型三极管的集电极;所述第一NPN型三极管的发射极接地;所述第二NPN型三极管的发射极通过所述第一电阻接地;所述第三PMOS管的漏极作为基准电压输出端。 | ||
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