发明名称 测试结构
摘要 本发明公开了一种测试结构,通过在测试结构的栅氧结构与栅极测试焊垫或者衬底测试焊垫之间增加一金属连线结构,该金属连线结构的电阻值由构成该金属连线结构的金属层的长短控制,且工艺简单,容易实行,从而克服现有技术中由于氧化层被击穿时电流较大,导致探针针尖容易被烧坏的问题,也克服现有技术中即使能够一定程度的保护探针,但是工艺繁琐,较难实行的问题,进而避免了探针针尖的烧坏,提高了测试效率,降低了工艺难度,进一步的降低了半导体器件的工艺成本。
申请公布号 CN103337468A 申请公布日期 2013.10.02
申请号 CN201310264755.8 申请日期 2013.06.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 王炯;尹彬锋;周柯
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种测试结构,应用于氧化层的击穿测试工艺中,所述测试结构包括栅氧结构、栅极测试焊垫和衬底测试焊垫;所述衬底测试焊垫与所述栅氧结构电连接,其特征在于,所述测试结构还包括金属连线结构;所述栅极测试焊垫通过所述金属连线结构与所述栅氧结构电连接;其中,多个金属层依次电连接构成所述金属连线结构。
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