高亮度发光二极体的制造方法、发光元件基板以及高亮度发光二极体

摘要

本发明是一种高亮度发光二极体的制造方法，其特征在于：在除去GaAs基板后的面上，藉由HVPE成长，形成III-V族化合物半导体来作为第二电流扩散层之步骤，是先将供给原料气体的形成最初的III/V比，设为3以上，随后以相对地降低前述III/V比的方式使其变化；将III/V比设为3以上来形成第二电流扩散层时的成长温度，是设在比相对地降低III/V比而成长时的温度低之温度区域亦即550℃~700℃，且III/V比为5以上时是在550℃~730℃的范围内的温度，来开始成长，随后升温至与相对地降低III/V比而成长时的温度相同温度。藉此，能够防止在除去GaAs基板后的面上，成长第二电流扩散层时所产生的成长膜破坏，且能够抑制在成长初期阶段于界面产生之微孔缺陷。