发明名称 薄膜电晶体结构及其制作方法
摘要 一薄膜电晶体结构包含一载板、一闸极层、一闸极介电层、一第一半导体层、一第二半导体层以及二半导体边衬。闸极层系形成于该载板表面。闸极介电层系覆盖该载板及该闸极层。第一半导体层形成于该闸极介电层表面,且包含一通道区。第二半导体层形成于该第一半导体层之上,且包含一源极区域及一汲极区域,该源极区域及该汲极区域间形成一凹部,该凹部邻接该源极区域及汲极区域处形成二内侧壁。二半导体边衬分别邻接该二内侧壁及该通道区表面。
申请公布号 TWI411111 申请公布日期 2013.10.01
申请号 TW098142198 申请日期 2009.12.10
申请人 逢甲大学 台中市西屯区文华路100号 发明人 简凤佐;陈奕儒
分类号 H01L29/786;H01L21/336 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 台中市西屯区文华路100号