用于增进通道载子移动性之具有高应力衬料之基于Ｓｉ-Ｇｅ的半导体装置

摘要

藉由采用应力衬料增加在Si－Ge装置之电晶体通道区内之载子移动性，于实施例中包括在松弛源极/汲极区上运用高压缩或拉伸应力膜，并且在其他实施例中包括于移除矽化物间隔件后，在P－通道或N－通道电晶体之闸极电极(72)与应变矽源极/汲极区(71)之上方，各别地运用高压缩(90)或高拉伸应力膜(120)。