| 摘要 |
1. Способ плазменного напыления для изготовления ионопроводящей мембраны, которая обладает ионной проводимостью, при котором мембрану осаждают в виде слоя (11) на подложку (10) в рабочей камере, причем исходный материал (Р) напыляют на поверхность подложки (10) в форме рабочего пучка (2) посредством рабочего газа (G), при этом исходный материал вводят в плазму при низком рабочем давлении, которое составляет не более 10000 Па, и частично или полностью расплавляют в ней, отличающийся тем, что в рабочую камеру (12) во время напыления подают кислород (O; 22) с расходом, который составляет по меньшей мере 1%, предпочтительно по меньшей мере 2%, от общего расхода рабочего газа.2. Способ по п.1, в котором плазма дефокусирует и ускоряет рабочий пучок (2).3. Способ по п.1 или 2, в котором рабочее давление в рабочей камере (12) устанавливают на значение по меньшей мере 50 Па и не более 2000 Па.4. Способ по п.1 или 2, в котором исходный материал (Р) представляет собой порошок, химический состав которого является по существу таким же, как и химический состав слоя (11).5. Способ по п.1 или 2, в котором исходный материал (Р) представляет собой порошок, фазовый состав которого является по существу таким же, как и фазовый состав слоя (11).6. Способ по п.1 или 2, в котором образующий мембрану слой (11) состоит из керамического материала, который представляет собой оксид типа перовскита.7. Способ по п.1 или 2, в котором слой состоит из перовскита, который включает лантан (La), стронций (Sr), кобальт (Со) и железо (Fe).8. Способ по п.1 или 2, при этом общий расход рабочего газа при плазменном напылении является меньшим, чем 200 SLPM, и, в частности, составляет от 100 до 160 SLPM.9. Способ по п.1 или 2, при этом ра� |
