发明名称 Ein Schaltkreisgehäuse, ein elektronisches Schaltkreisgehäuse und Verfahren zum Verkapseln eines elektronischen Schaltkreises
摘要 <p>Ein Schaltkreisgehäuse wird bereitgestellt, das Schaltkreisgehäuse aufweisend: einen elektronischen Schaltkreis; einen Metallblock neben dem elektronischen Schaltkreis; eine erste Metallschichtstruktur elektrisch kontaktiert mit mindestens einem ersten Kontakt auf einer ersten Seite des elektronischen Schaltkreises; eine zweite Metallschichtstruktur elektrisch kontaktiert mit mindestens einem zweiten Kontakt auf einer zweiten Seite des elektronischen Schaltkreises, wobei die zweite Seite gegenüberliegend der ersten Seite ist; wobei der Metallblock elektrisch kontaktiert ist mit der ersten Metallschichtstruktur und der zweiten Metallschichtstruktur mittels eines elektrisch leitfähigen Mediums; und wobei das elektrisch leitfähige Medium ein Material verschieden von dem Material der ersten und der zweiten Metallschichtstruktur oder eine Materialstruktur verschieden von dem Material der ersten und der zweiten Metallschichtstruktur aufweist.</p>
申请公布号 DE102013102893(A1) 申请公布日期 2013.09.26
申请号 DE201310102893 申请日期 2013.03.21
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 FUERGUT, EDWARD;HOSSEINI, KHALIL;MAHLER, JOACHIM
分类号 H01L23/48;H01L21/56;H01L21/58;H01L23/28;H01L23/34;H01L29/68 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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