发明名称 电子照相感光体、处理盒和图像形成设备
摘要 本发明涉及电子照相感光体、处理盒和图像形成设备。所述电子照相感光体包含导电性基体、设置在该导电性基体上的底涂层、设置在该底涂层上的电荷产生层、设置在该电荷产生层上的电荷输送层和设置在该电荷输送层上并具有2×1013Ω·m~4×1013Ω·m的体积电阻率的保护层,并且该底涂层和该电荷产生层的逸出功和电子亲合势满足以下表达式(1):0.4eV≤(Efuc-Eauc)-(Efcg-Eacg)≤0.6eV(其中Efuc表示该底涂层的逸出功,Eauc表示该底涂层的电子亲合势,Efcg表示该电荷产生层的逸出功,并且Eacg表示该电荷产生层的电子亲合势)。
申请公布号 CN103324044A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201310049074.X 申请日期 2013.02.07
申请人 富士施乐株式会社 发明人 齐藤阳平;山本真也;是永次郎
分类号 G03G5/14(2006.01)I;G03G5/147(2006.01)I;G03G5/047(2006.01)I;G03G21/18(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I 主分类号 G03G5/14(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 庞东成;龚泽亮
主权项 一种电子照相感光体,所述电子照相感光体包含:导电性基体;设置在所述导电性基体上的底涂层;设置在所述底涂层上的电荷产生层;设置在所述电荷产生层上的电荷输送层;和保护层,所述保护层设置在所述电荷输送层上并具有2×1013Ω·m~4×1013Ω·m的体积电阻率,其中,所述底涂层和所述电荷产生层的逸出功和电子亲合势满足以下表达式(1):0.4eV≤(Efuc‑Eauc)‑(Efcg‑Eacg)≤0.6eV其中,Efuc表示所述底涂层的逸出功,Eauc表示所述底涂层的电子亲合势,Efcg表示所述电荷产生层的逸出功,并且Eacg表示所述电荷产生层的电子亲合势。
地址 日本东京都