半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种可微细化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的基极层，被设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第2半导体层，被设置在所述基极层上；多个栅电极，栅电极的上端比所述基极层的上表面位于上方，栅电极的下端比所述基极层的下表面位于下方，隔着栅极绝缘膜与所述第1半导体、所述第2半导体层及所述基极层接触；绝缘部件，被配置在所述栅电极上，所述绝缘部件的上表面比所述第2半导体层的上表面位于下方；以及导电膜，在所述栅电极之间，与所述栅电极相隔规定的距离，将所述第2半导体层的从上端至下端、以及所述第2半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖。

主权项

一种半导体装置，具备：第1导电型的第1半导体层；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，为第1导电型，有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；第2导电型的基极层，设置在所述第2半导体层上；第1导电型的第3半导体层，设置在所述基极层上；多个栅电极，上端位于所述基极层的上表面的上方，下端位于所述基极层的下表面的下方，隔着栅极绝缘膜与所述第2半导体层、所述基极层及所述第3半导体层相接；绝缘部件，配置在所述栅电极上，上表面位于所述第3半导体层的上表面的下方；导电膜，在所述栅电极之间，与所述栅电极相隔规定的距离，将所述第3半导体层的从上端至下端、以及所述第3半导体层及所述绝缘部件的上端覆盖；场板电极，在所述栅电极的下方，隔着所述栅极绝缘膜设置；以及基极接触层，在所述第3半导体层与所述基极层的边界，与所述导电膜相接地设置，所述基极接触层的有效杂质浓度比所述基极层的有效杂质浓度高。