发明名称 电子元器件
摘要 本发明的目的在于提供一种内置有线圈的电子元器件,所述内置有线圈的电子元器件能够根据电流的大小取得不同的电感值,并且能够抑制因磁饱和所导致的电感值急剧降低。层叠体(12)中层叠有多层磁性体层(16)。线圈电极(18)通过在层叠体(12)内相互连接而构成线圈(L)以横切线圈(L)的方式设置非磁性体层(20)。非磁性体层(22)在从层叠方向来看时,形成于形成有线圈(L)的区域的外侧的区域。位于非磁性体层(20)的层叠方向的上侧的非磁性体层(22)的结构、不同于位于非磁性体层(20)的层叠方向的下侧的非磁性体层(22)的结构。
申请公布号 CN101981635B 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN200980112512.4 申请日期 2009.03.17
申请人 株式会社村田制作所 发明人 赤泽徹平
分类号 H01F17/00(2006.01)I;H01F17/04(2006.01)I;H01F41/04(2006.01)I 主分类号 H01F17/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张鑫
主权项 一种电子元器件,其特征在于,包括:层叠体,该层叠体由多个第一绝缘层层叠而形成;多个线圈电极,该多个线圈电极通过在所述层叠体内相互连接而构成线圈;第二绝缘层,该第二绝缘层是以横切所述线圈的方式设置,具有比所述第一绝缘层要低的磁导率;以及第三绝缘层,该第三绝缘层是以横切所述线圈的方式设置,在从层叠方向来看时,形成于形成有所述线圈的区域的外侧的区域,具有比所述第一绝缘层要低的磁导率,位于所述第二绝缘层的层叠方向的上侧的所述第三绝缘层的结构、不同于位于该第二绝缘层的层叠方向的下侧的所述第三绝缘层的结构,所述线圈的位于所述第二绝缘层的层叠方向的上侧的部分的直流叠加特性、不同于该线圈的位于该第二绝缘层的层叠方向的下侧的部分的直流叠加特性。
地址 日本京都府