| 发明名称 | 通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种在半导体衬底上依次形成绝缘介质层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀绝缘介质层，形成通孔，所述刻蚀过程中，向刻蚀腔室内通入氧气的流量随时间的变化不断减小，使通孔的尺寸达到目标尺寸。本发明通孔的临界尺寸能达到目标尺寸，提高了通孔的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102270600B | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201010192346.8 | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄敬勇;王新鹏;韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种通孔的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成绝缘介质层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀绝缘介质层，形成通孔；其特征在于，刻蚀绝缘介质层过程中，向刻蚀腔室内通入氧气的流量随时间的变化不断减小，以减缓刻蚀所述绝缘介质层形成所述通孔时气体在各方向上的刻蚀速率，使通孔的尺寸达到目标尺寸。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||