发明名称 三氯硅烷的制造方法及制造装置
摘要 一种三氯硅烷制造方法及制造装置,将在多晶硅制造工艺中产生的高沸点氯硅烷类含有物(聚合物)和氯化氢混合并导入分解炉,在450℃以上、最好是在450℃以上~700℃以下的加热下使聚合物和氯化氢反应,最好是将对于聚合物混合了10~30质量%的氯化氢的气体导入分解炉而进行分解。
申请公布号 CN101519205B 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN200910008332.3 申请日期 2009.02.26
申请人 三菱麻铁里亚尔株式会社 发明人 立野升;竹末久幸;佐藤春美
分类号 C01B33/107(2006.01)I 主分类号 C01B33/107(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 温大鹏
主权项 一种三氯硅烷的制造方法,其特征在于,包括:使金属硅和氯化氢在氯化反应炉(10)中反应而生成包含粗三氯硅烷的氯硅烷类;由第1蒸馏塔(11)对所生成的氯硅烷类进行蒸馏,而将氯硅烷类分离成精制了的三氯硅烷和包含高沸点氯硅烷类含有物的蒸馏残余物,所述高沸点氯硅烷类含有物含有沸点比四氯化硅还高的高沸点氯硅烷类;将精制了的三氯硅烷和氢导入蒸发器(12)中并在该蒸发器(12)中蒸发,而生成原料气体;使上述原料气体与炽热的硅棒在反应炉(13)中接触,而在炽热的硅棒上析出多晶硅;使来自上述反应炉(13)的排气在冷凝器(14)中冷却,而将包含高沸点氯硅烷类含有物的氯硅烷类分离,所述高沸点氯硅烷类含有物含有沸点比四氯化硅还高的高沸点氯硅烷类;将来自上述冷凝器(14)的氯硅烷类在蒸馏工序(20)中蒸馏,而从上述高沸点氯硅烷类含有物分离三氯硅烷和四氯化硅;将来自上述第1蒸馏塔(11)和上述蒸馏工序(20)的高沸点氯硅烷类含有物与氯化氢混合,而形成混合物;将上述混合物导入分解炉(33)中;使高沸点氯硅烷类含有物和氯化氢在上述分解炉(33)中在450℃至700℃的温度下反应,而生成三氯硅烷;将来自上述分解炉(33)的三氯硅烷导入上述氯化反应炉(10)中。
地址 日本东京都