发明名称 化学气相沉积设备和使用该设备制造发光器件的方法
摘要 本发明提供了化学气相沉积设备和使用该设备制造发光器件的方法。根据本发明一个实施例的化学气相沉积设备包括:腔体,其包括具有至少一个凹穴部分的基座,凹穴部分将晶片安放在其中;腔盖,其布置在腔体上以开放/关闭腔体,并且在基座与腔盖之间形成反应空间;反应气体供给部,其向反应空间提供反应气体以使反应气体沿基座的表面流过;以及非反应气体供给部,其向反应空间提供非反应气体以使非反应气体沿腔盖在反应空间中位于基座与腔盖之间的表面流过,从而防止反应气体与腔盖的表面接触。
申请公布号 CN103329249A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201180061432.8 申请日期 2011.12.20
申请人 三星电子株式会社 发明人 金俊佑;竹谷元伸;许寅会;金秋浩;李在凤
分类号 H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 陈源;张帆
主权项 一种化学气相沉积(CVD)设备,包括:腔体,其包括形成有至少一个凹穴部分的基座,所述凹穴部分将晶片稳固地安放在其中;腔盖,其配备于所述腔体以开放或关闭所述腔体,并且在所述基座与所述腔盖之间形成反应空间;反应气体供给部,其向所述反应空间提供反应气体,以使所述反应气体沿所述基座的表面流过;以及非反应气体供给部,其向所述反应空间提供非反应气体,以使所述非反应气体沿所述腔盖位于所述基座与所述腔盖之间的表面流过,从而防止所述反应气体与所述腔盖的表面接触。
地址 韩国京畿道