发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明涉及发光器件。根据一个实施例,一种发光器件包括用于发射第一光的半导体发光元件、安装构件、第一和第二波长转换层以及透明层。所述第一波长转换层被设置在所述元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光,所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层与所述第一波长转换层之间。所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光,所述第三光的波长大于所述第一光的波长。所述透明层被设置在所述元件与所述第二波长转换层之间。所述透明层对所述第一、第二和第三光透明。 |
申请公布号 |
CN102104107B |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201010274434.2 |
申请日期 |
2010.09.07 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
彦坂年辉;佐藤高洋;三石巌;布上真也 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
杨晓光;于静 |
主权项 |
一种发光器件,包括:半导体发光元件,其发射第一光;安装构件,所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上;第一波长转换层,其被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触,所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光,所述第二光的波长大于所述第一光的波长;第二波长转换层,所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层的至少一部分与所述第一波长转换层之间,所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光,所述第三光的波长大于所述第一光的波长,其中所述第二波长转换层的端部的至少一部分接触所述安装构件;以及第一透明层,其被设置在所述半导体发光元件与所述第二波长转换层之间,所述第一透明层对所述第一光、所述第二光和所述第三光透明,其中所述第一透明层的端部的至少一部分接触所述安装构件,所述第一透明层被设置在所述第二波长转换层与所述第一波长转换层之间,所述第二波长转换层与所述第一波长转换层分离。 |
地址 |
日本东京都 |