具有改进的选择性的二氧化硅蒸汽蚀刻

摘要

通过蚀刻剂气体即氟化氢（HF）蒸汽的使用，以对MEMS内的其它部分且尤其是氮化硅（Si3N4）部分的较高选择性，在微结构比如微机电结构（MEMS）中进行牺牲二氧化硅（SiO2）部分的蚀刻。这是通过适合用于增加HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率的第二非蚀刻剂气体的添加来实现的。第二非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率还可以通过将蚀刻操作温度设定到20℃或以下来增加。

主权项

一种在处理室中从氮化硅（Si3N4）中选择性地蚀刻二氧化硅（SiO2）以便生产一种或多种微结构的方法，所述方法包括：为所述处理室提供包含氟化氢（HF）的蚀刻蒸汽；以及增加所述蚀刻蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2‑和H2F2）与一氟化物反应物质（F‑和HF）的比率。