| 发明名称 | 一种无氮介质抗反射层的离线检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种无氮介质抗反射层的离线检测方法，包括在半导体衬底的表面沉积一层非晶碳薄膜，使得半导体衬底表面的光学性质和无氮介质抗反射层的光学性质不相同；在经非晶碳薄膜的表面沉积无氮介质抗反射层；将带有无氮介质抗反射层的半导体衬底置于测量机台进行测量。本发明的方法提高了对无氮介质抗反射层的离线检测的准确性和稳定性，从而进一步提高光刻工艺的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103325709A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310202664.1 | 申请日期 | 2013.05.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 雷通 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种无氮介质抗反射层的离线检测方法，其特征在于，包括：步骤S01：在半导体衬底的表面沉积一层非晶碳薄膜；步骤S02：在所述非晶碳薄膜的表面沉积所述无氮介质抗反射层；步骤S03：将所述带有无氮介质抗反射层的半导体衬底置于测量机台进行测量。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||