氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法

摘要

本发明提供了一种氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法，包括以下步骤，S1，将非极性面的氮化镓单晶衬底升温至n型导电层的生长温度范围，生长氮化镓n型导电层；S2，于n型导电层上生长量子阱层；S3，于量子阱层上生长氮化镓p型导电层。本发明通过改变氮化镓衬底生长表面的晶体方向，减少量子阱层内由于压变极化电场和自然极化电场造成的电子和空穴在生长方向上的分离，从而提高载流子在发光层的光辐射复合效率。

主权项

氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤，S1，将非极性面的氮化镓单晶衬底升温至n型导电层的生长温度范围，生长氮化镓n型导电层（2）；S2，于所述n型导电层（2）上生长量子阱层（3）；S3，于所述量子阱层（3）上生长氮化镓p型导电层（1）。