| 发明名称 | 半导体装置以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。 | ||
| 申请公布号 | CN101471351B | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN200810189707.6 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 高桥秀和;山田大干;门马洋平;安达广树;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：形成在衬底的第一面上的半导体元件；以及形成在所述衬底的与所述第一面相反的第二面上以及所述衬底的侧面的一部分上的树脂层，其中，所述衬底在该衬底的侧面上具有水平差。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||