| 发明名称 | 具有后表面隔离的半导体装置 | ||
| 摘要 | 用于独立地连接半导体装置的一部分中的周围材料与其各自的装置的电接触的电路、结构及技术。为达到这个目的，提供了一或多个导电阱的组合，所述一或多个导电阱在至少一个偏置极性电气隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN103329256A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201180060404.4 | 申请日期 | 2011.12.14 |
| 申请人 | 宜普电源转换公司 | 发明人 | 亚历山大·利道;曹建军;罗伯特·比奇;J·斯特赖敦;阿兰娜·纳卡塔;赵广元 |
| 分类号 | H01L21/337(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/337(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明;杨文娟 |
| 主权项 | 一种晶体管装置，包括：衬底；至少一个内层，所述内层包括化合物半导体材料；装置层，所述装置层包括电流传导区域；至少一个电接触，所述电接触形成在所述装置层上；以及导电阱，所述导电阱通过所述内层与所述电接触电气连接，其中所述导电阱在至少一个偏置极性与周围材料电气隔离。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||