发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管芯片的制造方法，至少包括以下步骤：提供一基板，对所述基板进行Mesa刻蚀，形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达N型半导体层中；然后采用溅射法在P型半导体层上形成一ITO透明导电层；接着在ITO透明导电层上部分区域形成P电极，在所述凹陷区域的N型半导体层上部分区域形成N电极；所述P电极底部材料为Cr；再进行退火以使P电极底部的Cr与ITO透明导电层中的O结合形成氧化物。本发明利用溅射法形成ITO透明导电层来提升发光二极管芯片的亮度，同时利用高温退火使得P电极底部的Cr与ITO透明导电层中的O结合形成Cr氧化物，P电极与ITO透明导电层之间有了化学键的结合，粘附性大大增强，从而解决了金属电极脱落的问题。

主权项

一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤：1）提供一基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对所述基板进行部分刻蚀，在所述基板中形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中；3）采用溅射法在所述P型半导体层上形成一ITO透明导电层；4）在所述ITO透明导电层上部分区域形成P电极，在所述凹陷区域的N型半导体层上部分区域形成N电极；所述P电极底部材料为Cr；5）进行退火以使P电极底部的Cr与ITO透明导电层中的O结合形成氧化物。