发明名称 |
一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法 |
摘要 |
本发明公开了一种热压烧结生产氮化硅陶瓷的方法,其特征在于,所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为:独居石6~9%,氮化硅91%~94%,上述各组分的成分分别为:独居石中氧化铈和氧化镧质量百分比含量大于65%,氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94%,上述各组分的粒径分别为:独居石1~5μm,氮化硅0.4~0.7μm,将上述各组分混合制坯,将所得坯体在氮气氛围下热压烧结。烧结温度为1600~1650℃,保温时间1~1.5h,压力12MPa。由于本发明以独居石作为烧结助剂,价格低廉,烧结温较低,节约了能耗,其综合效应是降低了生产成本。本发明生产的氮化硅陶瓷致密程度高,力学性能好。 |
申请公布号 |
CN103319181A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310241572.4 |
申请日期 |
2013.06.18 |
申请人 |
上海中耐高温材料有限公司 |
发明人 |
陈海*;王亦臣;刘军 |
分类号 |
C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/584(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种热压烧结生产氮化硅陶瓷的方法,其特征在于,所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为:独居石6~9%,氮化硅91%~94%,上述各组分的成分分别为:独居石中氧化铈和氧化镧质量百分比含量大于65%,氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94%,上述各组分的粒径分别为:独居石1~5μm,氮化硅0.4~0.7μm,将上述各组分混合制坯,将所得坯体在氮气氛围下热压烧结。 |
地址 |
201108 上海市闵行区申北路168弄51号402室 |