发明名称 |
晶圆缺陷横切观测装置 |
摘要 |
本发明涉及一种晶圆缺陷横切观测装置,包括:聚焦离子枪,设置于与晶圆表面垂直的第一平面内;扫描电子枪,设置于第一平面内不同于聚焦离子枪的位置,扫描电子枪的发射方向与聚焦离子枪的发射方向成第一角度夹角;聚焦离子显微镜,与聚焦离子枪一体设置于第一平面内;扫描电子显微镜,与扫描电子枪一体设置于第一平面内;光源发射器,设置于与晶圆表面垂直的第二平面内;光学成像单元,设置于第二平面内,其光路方向与光源发射器的入射光束方向成第二角度夹角;其中,第二平面与第一平面具有一大于0度的夹角。对晶圆缺陷的定位、边横切边观测乃至分析仅凭该装置即可直接实现,其工序简单、操作便利、精度更高。 |
申请公布号 |
CN103325708A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310202650.X |
申请日期 |
2013.05.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
郭贤权;许向辉;顾珍 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种晶圆缺陷横切观测装置,用于横切晶圆并观测晶圆切面的缺陷,包括:聚焦离子枪,设置于与晶圆表面垂直的第一平面内,用于向所述晶圆表面发射高能离子束以切割晶圆形成所述晶圆切面;扫描电子枪,设置于所述第一平面内不同于所述聚焦离子枪的位置,用于向所述晶圆切面发射高能电子束,所述扫描电子枪的发射方向与所述聚焦离子枪的发射方向成第一角度夹角;聚焦离子显微镜,与所述聚焦离子枪一体设置于所述第一平面内,用于权用二次离子信号来成像以观测所述晶圆切面;扫描电子显微镜,与所述扫描电子枪一体设置于所述第一平面内,用于权用二次电子信号来成像以观测所述晶圆切面;光源发射器,设置于与晶圆表面垂直的第二平面内,用于向所述晶圆表面或晶圆切面发出入射光束;光学成像单元,设置于所述第二平面内,其光路方向与所述光源发射器的入射光束方向成第二角度夹角,用于接收所述晶圆表面反射的所述入射光束而成像以确定横切的位置,或接收所述晶圆切面反射的所述入射光束而成像以观测所述晶圆切面;其中,所述第二平面与所述第一平面具有一大于O度的夹角。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |