发明名称 高效三叠层异质结薄膜太阳能电池及其制备方法
摘要 一种高效三叠层异质结薄膜太阳能电池,包括三结叠层串联的子电池;第一结为底电池,是由P1层、N1层构成的PN结结构,P1层为CuInSe2材料、N1层为CdS材料;第二结为中电池,第三结为顶电池,均为NIP结构;第一结与第二结电池之间具有一层10nm厚度的过渡层,采用本征非晶硅材料,过渡层与第一结、第二结接触的界面用等离子体轰击处理;第二结与第三结电池之间镀有SiOx中间层;第一结电池镀在具有背电极钼层的玻璃基板上,第三结电池顶部依次镀有导电窗口层、减反层和栅电极。本发明提高了光电转换效率,有效地降低了单位成本,本发明的电池结构性能稳定,可保证长期使用的电性能稳定性。
申请公布号 CN103325879A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201310275511.X 申请日期 2013.07.03
申请人 黑龙江汉能薄膜太阳能有限公司 发明人 董德庆;李朗川;信德磊;付东东
分类号 H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0272(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/078(2012.01)I
代理机构 大庆禹奥专利事务所 23208 代理人 朱士文;杨晓梅
主权项 一种高效三叠层异质结薄膜太阳能电池,其特征在于包括三结叠层串联的子电池;第一结为底电池,是由P1层、N1层构成的PN结结构,P1层为CuInSe2材料、N1层为CdS材料;第二结为中电池,为P2层、I2层、N2层构成的NIP结构,P2层为μ‑Si:H掺三甲基硼材料、I2层为光吸收层采用μc‑SiGe材料、N2层为μ‑Si:H掺磷烷材料;第三结为顶电池,为P3层、I3层、N3层构成的NIP结构,P3层为μ‑Si:H掺三甲基硼材料、I3层为光吸收层采用微晶硅μc‑Si材料、N3层为a‑Si:H掺磷烷材料;第一结与第二结电池之间具有一层10nm厚度的过渡层,采用本征非晶硅材料,过渡层与第一结、第二结接触的界面用等离子体轰击处理;第二结与第三结电池之间镀有SiOx中间层;第一结电池镀在具有背电极钼层的玻璃基板上,第三结电池顶部依次镀有导电窗口层、减反层和栅电极。
地址 155100 黑龙江省双鸭山市尖山区民生路66号