发明名称 培育金线兰抗逆组培苗的方法
摘要 本发明公开了一种培育金线兰抗逆组培苗的方法,包括以下步骤:A1、初代培养;A2、增殖培养;A3、生根培养+抗逆诱导:在超净工作台上,将无根苗从培养瓶中取出,采取直立插入的方式接种于生根培养基:1/2MS+NAA3mg/L+蔗糖20g/L,培养基中还加有自制诱抗剂:ABA1.3mg/L+SA2.5mg/L+CTS30mg/L;培养于光照12小时/天,光强1500lx-2000lx,温度23±2℃的条件,60天,生根可达2-3条/株;A4、炼苗移栽。本发明将快速繁殖与苗的抗逆性结合起来考虑,提供一种培育金线兰抗逆组培苗的方法。
申请公布号 CN102511388B 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201110379708.9 申请日期 2011.11.25
申请人 贵州师范大学 发明人 龚宁;李光;李亚军
分类号 A01H4/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种培育金线兰抗逆组培苗的方法,其特征在于,包括以下步骤:A1、初代培养:采取茎段直立插入的方式接种于MS+BA1.5mg/L+KT0.5mg/L+NAA1.5mg/L+蔗糖30g/L+(0.5‑0.6)mg/L硫脲+(0.5‑0.6)mg/L Vc的培养基;置于光照12小时/天,光强1500lx‑2000lx,温度23±2℃的条件下培养,培养60天可得到无菌芽;A2、增殖培养:用解剖刀将无菌芽切下,采取直立插入的方式接种于MS+BA3.0mg/L+KT3.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖30g/L的培养基,培养于光照12小时/天,光强1500lx‑2000lx,温度23±2℃的条件;在继代三代后应调整培养基配方为:MS+6‑BA3.0mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L;A3、生根培养+抗逆诱导:在超净工作台上,将无根苗从培养瓶中取出,采取直立插入的方式接种于生根培养基:1/2MS+NAA3mg/L+蔗糖20g/L,培养基中还加有自制诱抗剂:ABA1.3mg/L+SA2.5mg/L+CTS30mg/L;培养于光照12小时/天,光强1500lx‑2000lx,温度23±2℃的条件,60天,生根可达2‑3条/株;A4、炼苗移栽:用松针土作为移栽基质。
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