发明名称 |
单芯片电流传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种单芯片电流传感器及其制造方法,其中单芯片电流传感器是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流,其包括流过所述被测定电流的导体,以及位于导体周围的两个磁传感器,所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本发明不仅能够消除外界磁场干扰,提高性能稳定性和灵敏度,还能够提高产品集成度,减小产品体积,降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN103323643A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201210075017.4 |
申请日期 |
2012.03.20 |
申请人 |
美新半导体(无锡)有限公司 |
发明人 |
蒋乐跃;刘海东;蔡永耀;赵阳;张俊德 |
分类号 |
G01R19/00(2006.01)I;G01R15/14(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
王爱伟 |
主权项 |
一种单芯片电流传感器,根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流,其特征在于:其包括流过所述被测定电流的导体,以及位于导体周围的两个磁传感器,所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新辉环路2号 |