发明名称 多层膜形成方法及装置
摘要 本发明揭示了一种不使用蚀刻处理,可使包含复合氧化物层之多层膜形成希望的装置形状之多层膜形成方法。该方法系包含:将第一光罩(30A)置于基板(S)上方,以密着层靶材(T1)及下部电极层靶材(T2)进行溅镀,再使用前述第一光罩,使密着层(36)及下部电极层(37)于前述基板上方成膜;将由陶瓷材料形成之第二光罩(30B)置于前述下部电极层上方,以氧化物层靶材(T3)进行溅镀,再使用前述第二光罩于前述下部电极层上方层积复合氧化物层(38);将第三光罩(30C)置于前述复合氧化物层上方,以上部电极层靶材(T4)进行溅镀,再使用前述第三光罩于前述复合氧化物层上方层积上部电极层(39)。
申请公布号 TWI409351 申请公布日期 2013.09.21
申请号 TW096150233 申请日期 2007.12.26
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 木村勋;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡
分类号 C23C14/34;C23C14/08;H01B3/12 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 陈传岳 台北市大安区仁爱路3段136号13楼;郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号13楼
主权项
地址 日本