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发明名称
基板处理装置及半导体装置之制造方法
摘要
本发明之课题系提供一种藉由抑制处理室内发生之异物搅拌而可抑制对基板之异物吸着的基板处理装置及半导体装置之制造方法。;本发明之解决手段系具备有:处理室,用来处理基板;处理气体供给线,将处理气体供给到处理室内;惰性气体供给线,将惰性气体供给到处理室内;惰性气体通气线,被设在惰性气体供给线,使供给到惰性气体供给线之惰性气体不供给到处理室内而加以排气;第1阀,被设在惰性气体供给线之设置惰性气体通气线之部分下游侧;第2阀,被设在惰性气体通气线;和排气线,将处理室内排气。
申请公布号
TWI409897
申请公布日期
2013.09.21
申请号
TW097109649
申请日期
2008.03.19
申请人
日立国际电气股份有限公司 日本
发明人
佐野敦;板谷秀治;田边光朗
分类号
H01L21/67;G05D7/00
主分类号
H01L21/67
代理机构
代理人
赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项
地址
日本
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