多阶切换之金属-氧化物为基础的电阻式随机存取记忆体的操作方法

摘要

本发明揭露一种记忆装置及操作此种装置之方法。此处所描述之方法包括施加一系列的调整偏压于一选取金属-氧化物记忆元件以改变该选取金属-氧化物记忆元件的电阻状态自复数个电阻状态之一第一电阻状态至一第二电阻状态。该施加一系列的调整偏压包含施加一第一组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物记忆元件的该电阻状态自复数个电阻状态之该第一电阻状态至一第三电阻状态，以及施加一第二组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物记忆元件的该电阻状态自复数个电阻状态之该第三电阻状态至该第二电阻状态。