与多元件自由层磁穿隧接合之调整插接层及形成其之方法

摘要

本发明提供用于最佳化一用于一具有多元件自由层之磁穿隧接合(MTJ)之双态触发窗的装置及方法。根据本发明之一态样，一MTJ包含一自由层、一插接层及一形成于该自由层与该插接层之间的障壁层。该自由层又包括复数个自由磁次层，而该插接层包括复数个插接磁次层。该等插接磁次层之每一者在该等自由磁次层上施加一磁场。为了最佳化设备之该双态触发窗，该等插接磁次层之每一者的尺寸经选择以大体上均衡作用于该等自由磁次层之每一者上的平均磁场。