| 摘要 |
依据温度相关条件，判定是否执行以处理容器内之状态整合为目的之虚拟处理。;EC 200具有：针对制品基板(晶圆W)执行蚀刻处理之基板处理执行部280；针对虚拟基板执行虚拟处理之虚拟处理执行部275；以及依据温度相关条件，判定是否执行虚拟处理之判定部270。判定部270取得以配设于PM 400之各PM之处理容器内之环境整合为目的之温度相关资讯，依据所取得之温度资讯，判定处理容器内之温度状态是否为整合。藉由判定部270判定处理容器之温度状态为整合时，基板处理执行部280以不要虚拟处理执行部275执行虚拟处理而立即执行对制品基板之蚀刻处理之方式进行控制。 |
