| 发明名称 | 反或型闪存的穿遂氧化层的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是涉及一种反或型闪存的穿遂氧化层的制作方法，通过对闸极结构中的穿遂氧化层的特定范围的温度及厚度的控制，使得信道区域不因高温的工艺而导致掺杂浓度及范围的改变，进而可改善漏电流现象及提高储存数据的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN103311187A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210057951.3 | 申请日期 | 2012.03.07 |
| 申请人 | 宜扬科技股份有限公司 | 发明人 | 吴怡德;陈宜秀;李文诚 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;韩蕾 |
| 主权项 | 1.一种反或型闪存的穿遂氧化层的制作方法，包含以下步骤：提供一半导体基板；形成具有第一掺杂的一信道区域于所述半导体基板中；及在650℃至800℃的温度下成长所述穿遂氧化层于所述半导体基板上，其中，所形成的穿遂氧化层的厚度为<img file="FDA0000141268310000011.GIF" wi="243" he="44" /> | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||